IPB04N03LA和IPB04N03LAG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB04N03LA IPB04N03LAG IPB04N03LAT

描述 的OptiMOS 2功率三极管 OptiMOS 2 Power-TransistorOptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-TransistorD2PAK N-CH 25V 80A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 - -

封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3-2

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V 25.0 V

额定电流 80.0 A 80.0 A 80.0 A

极性 N-CH - N-CH

耗散功率 107000 mW - 107W (Tc)

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V 25 V

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80.0 A 80.0 A

上升时间 4.5 ns - 4.50 ns

输入电容(Ciss) 3877pF @15V(Vds) 3877pF @15V(Vds) 3877pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 107 W 107 W 107 W

下降时间 5.4 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

耗散功率(Max) 107W (Tc) - 107W (Tc)

输入电容 - 3.88 nF 3.88 nF

栅电荷 - 32.0 nC 32.0 nC

封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3-2

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

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