对比图
型号 BC859BLT1 BC859BLT3 BC859BLT1G
描述 通用晶体管（ PNP硅） General Purpose Transistors(PNP Silicon)通用晶体管（ PNP硅） General Purpose Transistors(PNP Silicon)通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistors PNP Silicon
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - - 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) -30.0 V - -30.0 V
额定电流 -100 mA - -100 mA
极性 PNP PNP PNP
击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V
集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V - 220 @2mA, 5V
额定功率(Max) 300 mW - 300 mW
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 300 mW - 300 mW
耗散功率 225 mW - -
增益频宽积 100 MHz - -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
长度 2.9 mm - -
宽度 1.3 mm - -
高度 0.94 mm - -
材质 - - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead - Lead Free