BSZ42DN25NS3GATMA1和BUZ31H3046XKSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSZ42DN25NS3GATMA1 BUZ31H3046XKSA1 BUZ73L

描述 INFINEON  BSZ42DN25NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 250 V, 0.371 ohm, 10 V, 3 VInfineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 8 3 3

封装 TSDSON-8 TO-262-3 TO-220-3

额定功率 33.8 W 95 W -

通道数 1 1 1

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.371 Ω 200 mΩ 400 mΩ

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 33.8 W 95 W 40 W

阈值电压 3 V - -

漏源极电压(Vds) 250 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 250 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 5A 14.5A 7.00 A

上升时间 2 ns 50 ns 60 ns

输入电容(Ciss) 320pF @100V(Vds) 840pF @25V(Vds) 840pF @25V(Vds)

下降时间 8 ns 60 ns 40 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 33800 mW 95W (Tc) 40W (Tc)

额定电压(DC) - - 200 V

额定电流 - - 7.00 A

输入电容 - - 840 pF

长度 3.3 mm 10.36 mm 10 mm

宽度 3.3 mm 4.52 mm 4.4 mm

高度 1.1 mm 9.45 mm 15.65 mm

封装 TSDSON-8 TO-262-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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