对比图
型号 BSC0908NS BSC0909NS HAT2165H-EL-E
描述 N沟道功率MOSFET n-Channel Power MOSFET30V,9.2mΩ,44A,N沟道功率MOSFET硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Renesas Electronics (瑞萨电子)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 8 5
封装 TDSON-8 PG-TDSON-8 SOT-669
通道数 1 1 -
漏源极电阻 6.7 mΩ 7.7 mΩ -
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 2.5 W 2.5 W 30 W
漏源极电压(Vds) 34 V 34 V 30 V
漏源击穿电压 34 V 34 V -
连续漏极电流(Ids) 14A 12A 55A
上升时间 - 4.4 ns 65 ns
输入电容(Ciss) 1220pF @15V(Vds) 1110pF @15V(Vds) 5180pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 30 W 27 W 30 W
下降时间 - 5.4 ns 9.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 27W (Tc) 30W (Tc)
长度 5.9 mm 5.9 mm -
宽度 5.15 mm 5.15 mm -
高度 1.27 mm 1.27 mm -
封装 TDSON-8 PG-TDSON-8 SOT-669
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99