DTA144EKAT146和MMUN2113LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTA144EKAT146 MMUN2113LT1G MUN2113T1G

描述 PNP 晶体管,ROHM ### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.ON SEMICONDUCTOR  MMUN2113LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SOT-23MUN 系列 50 V 100 mA 47 kOhm PNP 硅 偏置电阻晶体管 - SC-59

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V

额定电流 -30.0 mA -100 mA -100 mA

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

极性 PNP, P-Channel PNP PNP

耗散功率 200 mW 246 mW 0.3 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 68 @5mA, 5V 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) 200 mW 246 mW 230 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200 mW 300 mW 300 mW

额定功率 0.2 W - -

直流电流增益(hFE) 68 - -

增益带宽 250 MHz - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 2.9 mm 2.9 mm -

宽度 1.6 mm 1.3 mm -

高度 1.1 mm 0.94 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

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