对比图
描述 RF Power Bipolar Transistor, 1Element, High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.55INCH, FM-4射频与微波晶体管短波单边带应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS10安培肖特基势垒整流器 10 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
数据手册 ---
制造商 Advanced Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Surface Mount Chassis
引脚数 - 5 -
封装 - M-177 TO-220
额定电压(DC) - 110 V -
额定电流 - 40.0 A -
极性 - NPN -
耗散功率 - 330 W -
输出功率 - 200 W -
击穿电压(集电极-发射极) - 55 V 55 V
增益 - 15dB ~ 17dB 14.5 dB
最小电流放大倍数(hFE) - 23 @10A, 6V 15 @10A, 6V
额定功率(Max) - 330 W 330 W
工作温度(Max) - 200 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 330000 mW -
正向电压 - - 0.65 V
正向电流 - - 10000 mA
正向电流(Max) - - 10000 mA
封装 - M-177 TO-220
高度 - - 8.2 mm
材质 - Silicon -
工作温度 - 200℃ (TJ) 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Bulk Bulk
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 -