对比图
型号 IRLR3715ZPBF STD40NF03LT4 STD60N3LH5
描述 Trans MOSFET N-CH 20V 49A 3Pin(2+Tab) DPAK TubeSTMICROELECTRONICS STD40NF03LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 1 VSTMICROELECTRONICS STD60N3LH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 7.6 mohm, 10 V, 1.8 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 20.0 V 30.0 V -
额定电流 49.0 A 40.0 A -
通道数 1 1 -
漏源极电阻 15.5 mΩ 0.009 Ω 7.6 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 40 W 80 W 60 W
产品系列 IRLR3715Z - -
阈值电压 2.1 V 1 V 1.8 V
输入电容 810pF @10V - -
漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 20.0 V 30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 49.0 A 20.0 A 24.0 A
上升时间 13.0 ns 165 ns 33 ns
输入电容(Ciss) 810pF @10V(Vds) 1440pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 40 W 80 W 60 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
针脚数 - 3 3
下降时间 - 25 ns 4.2 ns
耗散功率(Max) - 80W (Tc) 60W (Tc)
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
长度 6.73 mm - -
高度 2.26 mm - -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
宽度 - 6.2 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/12/17