SSI7N60BTU和STB10NK60Z-1

对比图

型号 SSI7N60BTU STB10NK60Z-1 STB13NK60Z-1

描述 N沟道 600V 7AN沟道600V - 0.65OHM - 10A - I2 / D2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247齐纳保护超网TM功率MOSFET N-channel 600V - 0.65OHM - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener-protected SuperMESH TM Power MOSFETN沟道600V - 0.48ヘ-13A - TO- 220 / FP - D / IPAK - TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 600V-0.48ヘ-13A-TO-220/FP-D/IPAK-TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole -

封装 TO-262 TO-262-3 I2PAK

引脚数 - - 3

漏源极电阻 1.20 Ω 750 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 3.13 W 115 W -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 600 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 7.00 A 10.0 A 13A

额定电压(DC) - 600 V -

额定电流 - 10.0 A -

上升时间 - 20 ns 14 ns

输入电容(Ciss) - 1370pF @25V(Vds) 2030pF @25V(Vds)

下降时间 - 30 ns 12 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 115W (Tc) 150000 mW

封装 TO-262 TO-262-3 I2PAK

长度 - 10 mm -

宽度 - 4.4 mm -

高度 - 8.95 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 EAR99 - -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -