IRFS11N50ATRRP和STB10NB50

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFS11N50ATRRP STB10NB50 SPB07N60C3

描述 MOSFET N-CH 500V 11A D2PAKN - CHANNEL 500V - 0.55ohm - 10.6A - D2PAK的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 500V - 0.55ohm - 10.6A - D2PAK PowerMESH] MOSFETInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 TO-263-3 D2PAK TO-263-3

额定电压(DC) - - 650 V

额定电流 - - 7.30 A

额定功率 - - 83 W

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.54 Ω

极性 - N-CH N-Channel

耗散功率 170W (Tc) - 83 W

阈值电压 - - 3 V

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 650 V

连续漏极电流(Ids) - 10.6A 7.30 A

上升时间 - - 3.5 ns

输入电容(Ciss) 1423pF @25V(Vds) - 790pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 83 W

下降时间 - - 7 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) 170W (Tc) - 83W (Tc)

长度 - - 10.31 mm

宽度 - - 9.25 mm

高度 - - 4.572 mm

封装 TO-263-3 D2PAK TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Not Recommended

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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