CY7C1021CV33-12VI和CY7C1021CV33-12ZI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1021CV33-12VI CY7C1021CV33-12ZI AS7C31026B-12JIN

描述 64K ×16静态RAM 64K x 16 Static RAM64K ×16静态RAM 64K x 16 Static RAM静态随机存取存储器 1M, 3.3V, 12ns, FAST 64K x 16 Asynch 静态随机存取存储器

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Alliance Memory (联盟记忆)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 44 44 32

封装 SOJ TSOP SOJ-44

安装方式 - - Surface Mount

位数 - 16 -

存取时间(Max) 12 ns 12 ns -

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

电源电压 - 3.3 V 3V ~ 3.6V

电源电压(DC) - - 3.00V (min)

工作电压 - - 3V ~ 3.6V

存取时间 - - 12 ns

内存容量 - - 125000 B

供电电流 85 mA - -

高度 - 1.04 mm -

封装 SOJ TSOP SOJ-44

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - - Each

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - 无铅

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - 3A991.b.2.a -

工作温度 - - -40℃ ~ 85℃ (TA)

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