对比图
型号 CJD31CTR13 MJD31C-13 MJD31C
描述 Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin,MJD31C Series 100V 3A 1.5W NPN High Voltage Transistor - TO252 (DPAK)低电压NPN功率晶体管 Low voltage NPN power transistor
数据手册 ---
制造商 Central Semiconductor Diodes (美台) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 - 6.8 mm 6.6 mm
宽度 - 6.2 mm 6.2 mm
高度 - 2.4 mm 2.4 mm
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 3.00 A
耗散功率 - 3.9 W 15 W
击穿电压(集电极-发射极) - 100 V 100 V
最小电流放大倍数(hFE) - 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V
额定功率(Max) - 1.56 W 15 W
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃
频率 - 3 MHz -
额定功率 - 1.56 W -
极性 - NPN -
集电极最大允许电流 - 3A -
最大电流放大倍数(hFE) - 40 @3A, 4V -
耗散功率(Max) - 1500 mW -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)