DDA114EK-7和DDA114EK-7-F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DDA114EK-7 DDA114EK-7-F DDA114EK-13

描述 Transistors (BJT) - Single, Pre-BiasedTrans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 6Pin SOT-26 T/RSmall Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-6

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 6 6 -

封装 SOT-26 SOT-23-6 -

极性 PNP PNP -

耗散功率 - 0.3 W -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 100mA 100mA -

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @5mA, 5V -

额定功率(Max) - 300 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

增益带宽 250 MHz 250 MHz -

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW -

长度 - 3 mm -

宽度 - 1.6 mm -

高度 - 1.1 mm -

封装 SOT-26 SOT-23-6 -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -

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