AD822BRZ和AD822BRZ-REEL7

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AD822BRZ AD822BRZ-REEL7 TLE2022CD

描述 Analog Devices### 运算放大器,Analog DevicesAnalog Devices### 运算放大器,Analog DevicesTEXAS INSTRUMENTS  TLE2022CD  运算放大器, 双路, 1.7 MHz, 2个放大器, 0.5 V/µs, ± 2V 至 ± 20V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 1.4 mA 1.4 mA 550 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 69 dB 80 dB 85 dB

输入电容 2.80 pF 2.80 pF -

转换速率 3.00 V/μs 3.00 V/μs 500 mV/μs

增益频宽积 1.8 MHz 1.8 MHz 1.7 MHz

输入阻抗 10.0 TΩ 10.0 TΩ -

输入补偿电压 300 µV 300 µV 120 µV

输入偏置电流 2 pA 2 pA 35 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

3dB带宽 1.9 MHz 1.9 MHz -

增益带宽 1.9 MHz 1.9 MHz 2.8 MHz

共模抑制比(Min) 69 dB 69 dB 85 dB

电源电压(Max) 30 V 30 V -

电源电压(Min) 5 V 5 V -

工作电压 - - 4V ~ 40V

输出电流 - - ≤30 mA

针脚数 8 - 8

耗散功率 - - 0.725 W

输入补偿漂移 - - 2.00 µV/K

带宽 1.8 MHz - 1.7 MHz

耗散功率(Max) - - 725 mW

长度 5 mm 5 mm 4.9 mm

宽度 4 mm 4 mm 3.91 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

军工级 No No -

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

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