FDS3672和FDS3672_NL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS3672 FDS3672_NL PSMN038-100K,518

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS3672  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 100 V, 23 mohm, 10 V, 4 VDiscrete Commercial N-Channel UltraFET Trench MOSFET, 100V, 7.5A, 0.022Ω @ Vgs = 10V, SO-8 PackageSO N-CH 100V 6.3A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

引脚数 8 - 8

极性 N-Channel N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 7.50 A 7.5A 6.3A

耗散功率 2.5 W - 3.5 W

上升时间 20 ns - 13 ns

输入电容(Ciss) 2015pF @25V(Vds) - 1740pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W - 3.5 W

下降时间 27 ns - 25 ns

耗散功率(Max) 2.5 W - 3.5W (Tc)

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 7.50 A - -

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.019 Ω - -

阈值电压 4 V - -

输入电容 2.01 nF - -

栅电荷 28.0 nC - -

漏源击穿电压 100 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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