IRFZ34PBF和STP36NF06L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFZ34PBF STP36NF06L IRFZ30PBF

描述 VISHAY  IRFZ34PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.05 ohm, 10 V, 4 V 新STMICROELECTRONICS  STP36NF06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 2.5 VVISHAY  IRFZ30PBF  场效应管, MOSFET, N沟道, TO-220AB

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 30.0 A -

额定功率 - 70 W -

通道数 - 1 -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.05 Ω 0.032 Ω 0.05 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 88 W 70 W 75 W

阈值电压 4 V 2.5 V 4 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 50 V

漏源击穿电压 - 60.0 V -

栅源击穿电压 - ±18.0 V -

连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30.0 A 30.0 A

上升时间 100 ns 80 ns -

输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 660pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 70 W -

下降时间 52 ns 13 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 88000 mW 70W (Tc) -

输入电容 1200pF @25V - -

长度 10.41 mm 10.4 mm -

宽度 4.7 mm 4.6 mm -

高度 9.01 mm 9.15 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 - Active -

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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