对比图
型号 IRFB4020PBF IRFZ14PBF STP20NF20
描述 200V,16A,N沟道功率MOSFET功率MOSFET Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STP20NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 125 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 1 - -
漏源极电阻 100 mΩ 0.2 Ω 0.125 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 100 W 43 W 90 W
产品系列 IRFB4020 - -
输入电容 1200pF @50V - 940 pF
漏源极电压(Vds) 200 V 60 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 18.0 A 10.0 A 18.0 A
输入电容(Ciss) 1200pF @50V(Vds) 300pF @25V(Vds) 940pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 100 W 43 W 90 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
额定电压(DC) - 60.0 V 200 V
额定电流 - 10.0 A 18.0 A
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 2 V 3 V
栅电荷 - - 28.0 nC
漏源击穿电压 - 60.0 V 200 V
上升时间 - 50 ns 30 ns
下降时间 - 19 ns 10 ns
耗散功率(Max) - 43 W 110W (Tc)
长度 10.66 mm 10.41 mm 10.4 mm
宽度 4.4 mm 4.7 mm 4.6 mm
高度 16.51 mm 9.01 mm 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
最小包装 - 50 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99