IPP65R380C6和STP14NM65N

对比图

型号 IPP65R380C6 STP14NM65N STB11NM65N

描述 650V的CoolMOS C6功率晶体管 650V CoolMOS C6 Power TransistorN沟道650 V， 0.33 Ω ， 12一个的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， D2PAK ， I2PAK ， TO- 247 N-channel 650 V, 0.33 Ω, 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247D2PAK N-CH 650V 12A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

封装 TO-220-3 TO-220-3 D2PAK

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 3 -

极性 N-CH N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 700 V 650 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 10.6A 6.00 A 12A

通道数 1 - -

漏源极电阻 380 mΩ - -

耗散功率 83 W 125 W -

漏源击穿电压 650 V - -

上升时间 12 nS 13 ns -

下降时间 11 nS 20 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

输入电容(Ciss) - 1300pF @50V(Vds) -

额定功率(Max) - 125 W -

耗散功率(Max) - 125W (Tc) -

封装 TO-220-3 TO-220-3 D2PAK

长度 10 mm 10.4 mm -

宽度 4.4 mm 4.6 mm -

高度 15.65 mm 9.15 mm -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 - -