STF10NM60N和STF13N95K3

对比图

型号 STF10NM60N STF13N95K3 TK13A60D(Q,M)

描述 STMICROELECTRONICS  STF10NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 VN沟道950 V， 0.68欧姆（典型值） ， 10齐纳保护SuperMESH3 N-channel 950 V, 0.68 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH3TO-220SIS N-CH 600V 13A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.53 Ω - -

极性 N-Channel - N-CH

耗散功率 25 W 40W (Tc) 50 W

阈值电压 3 V - -

漏源极电压(Vds) 600 V 950 V 600 V

上升时间 12 ns 16 ns -

输入电容(Ciss) 540pF @50V(Vds) 1620pF @100V(Vds) -

额定功率(Max) 25 W 40 W -

下降时间 15 ns 21 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 25W (Tc) 40W (Tc) -

连续漏极电流(Ids) - - 13A

通道数 - 1 -

长度 10.4 mm - -

宽度 4.6 mm - -

高度 16.4 mm - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -