对比图
型号 BSP32 BSP32,115
描述 Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 PinSC-73 PNP 80V 1A
数据手册 --
制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管
安装方式 - Surface Mount
封装 - TO-261-4
频率 - 100 MHz
极性 - PNP
耗散功率 - 1.3 W
击穿电压(集电极-发射极) - 80 V
集电极最大允许电流 - 1A
最小电流放大倍数(hFE) - 40 @100mA, 5V
额定功率(Max) - 1.3 W
耗散功率(Max) - 1300 mW
封装 - TO-261-4
工作温度 - 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free