ISL6620CBZ和ISL6620CBZ-T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ISL6620CBZ ISL6620CBZ-T TPS28225D

描述 VR11.1兼容同步整流降压MOSFET驱动器 VR11.1 Compatible Synchronous Rectified Buck MOSFET DriversMOSFET DRVR 4A 2Out Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 8Pin SOIC N T/RTEXAS INSTRUMENTS  TPS28225D  驱动器芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 4.5V-8V电源, 4A输出, 14ns延迟, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 Intersil (英特矽尔) Intersil (英特矽尔) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 8 - 8

上升/下降时间 8 ns 8 ns 10 ns

输出接口数 2 2 2

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 8.8V

电源电压(DC) 4.50V (min) - 8.00V (max)

输出电流 4 A - 6.00 A

上升时间 8 ns - 10 ns

下降时间 8 ns - 10 ns

工作温度(Max) 70 ℃ - 125 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - -40 ℃

电源电压(Max) 5.5 V - 8 V

输出电压 - - 33.3 V

针脚数 - - 8

耗散功率 - - 1.25 W

输出电流(Max) - - 4 A

下降时间(Max) - - 10 ns

上升时间(Max) - - 10 ns

耗散功率(Max) - - 1250 mW

电源电压(Min) - - 4.5 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm - 4.9 mm

宽度 4 mm - 3.91 mm

高度 1.5 mm - 1.58 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 125℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

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