对比图
型号 FQPF18N50V2 FQPF18N50V2SDTU FDPF18N50T
描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETN沟道 500V 18AUniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 500 V - 500 V
额定电流 18.0 A - 18.0 A
通道数 - - 1
漏源极电阻 225 mΩ - 265 mΩ
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 69W (Tc) 69 W 38.5 W
输入电容 2.53 nF - 2.86 nF
栅电荷 42.0 nC - 60.0 nC
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V - 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 18.0 A 18A 72.0 A
上升时间 150 ns 150 ns 165 ns
输入电容(Ciss) 3290pF @25V(Vds) - 2860pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 69 W - 38.5 W
下降时间 - 110 ns 90 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 69W (Tc) - 38.5W (Tc)
长度 - 10.67 mm 10.36 mm
宽度 - 4.7 mm 4.9 mm
高度 - 16.3 mm 16.07 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99