对比图
型号 FDG6335N SI1902DL-T1-E3 FDG6301N
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6335N 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 700 mA, 20 V, 0.18 ohm, 4.5 V, 1.1 VTRANSISTOR 660mA, 20V, 2Channel, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SC-70, 6Pin, FET General Purpose Small SignalON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDG6301N, 220 mA, Vds=25 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6
额定电压(DC) 20.0 V - -
额定电流 700 mA - -
针脚数 6 - 6
漏源极电阻 0.18 Ω 0.385 Ω 4 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel - -
耗散功率 300 mW 0.27 W 0.3 W
阈值电压 1.1 V 1.5 V 850 mV
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 25 V
漏源击穿电压 20.0 V 20 V -
栅源击穿电压 ±12.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 700 mA - -
上升时间 7 ns 16 ns 4.5 ns
输入电容(Ciss) 113pF @10V(Vds) - 9.5pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 300 mW 270 mW 300 mW
下降时间 1.5 ns 16 ns 3.2 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 0.3 W - 300 mW
热阻 - 400℃/W (RθJA) -
长度 2 mm 2.2 mm 2 mm
宽度 1.25 mm - 1.25 mm
高度 1 mm - 1 mm
封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2014/06/16 -
ECCN代码 EAR99 - -