对比图
型号 FQU1N80 STD1NK80Z-1
描述 800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFETN沟道800V - 13ヘ - 1 A TO- 92 / SOT- 223 / DPAK / IPAK齐纳 - 保护SuperMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 800V - 13 ヘ - 1 A TO-92 /SOT-223/DPAK/IPAK Zener - Protected SuperMESH⑩ MOSFET
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 - 3
封装 IPAK TO-251-3
通道数 - 1
极性 N-CH N-CH
耗散功率 - 45 W
阈值电压 - 3.75 V
输入电容 - 160 pF
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 1A 1A
上升时间 - 30 ns
输入电容(Ciss) - 160pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 45 W
下降时间 - 55 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 45W (Tc)
宽度 - 2.4 mm
高度 - 6.2 mm
封装 IPAK TO-251-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free