VRF151G和BLF278,112

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VRF151G BLF278,112 BLF278/01,112

描述 射频功率MOSFET垂直 RF POWER VERTICAL MOSFETTrans RF MOSFET N-CH 125V 18A 5Pin CDFM BulkTrans RF MOSFET N-CH 125V 18A 5Pin CDFM Bulk

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Ampleon USA Ampleon USA

分类 晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

引脚数 5 5 5

封装 SMD-4 SOT-2621 SOT-2621

安装方式 Surface Mount - -

频率 175 MHz 108 MHz 108 MHz

额定电流 - 18 A -

耗散功率 300000 mW 500000 mW -

输出功率 300 W 300 W 300 W

增益 16 dB 22 dB 22 dB

测试电流 500 mA 100 mA 100 mA

输入电容(Ciss) 375pF @150V(Vds) 480pF @50V(Vds) 480pF @50V(Vds)

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 300000 mW 500000 mW 500000 mW

额定电压 170 V 125 V 125 V

电源电压 - 50 V -

封装 SMD-4 SOT-2621 SOT-2621

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Box - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

材质 Silicon - -

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