BAS21,235和BAS21LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAS21,235 BAS21LT1G BAS21,215

描述 NXP BAS21,235 Small Signal Diode, Single, 250V, 200mA, 1.25V, 50ns, 9AON SEMICONDUCTOR  BAS21LT1G  二极管 小信号, 单, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mANXP  BAS21,215  二极管 小信号, 单, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 小信号二极管小信号二极管小信号二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

针脚数 - 3 3

正向电压 1.25V @200mA 1.25 V 1.25V @200mA

热阻 500℃/W (RθJA) 417℃/W (RθJA) 500℃/W (RθJA)

反向恢复时间 50 ns 50 ns 50 ns

正向电流 200 mA 200 mA 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 9 A 625 mA 9 A

正向电压(Max) 1.25 V 1.25 V 1.25 V

正向电流(Max) 200 mA 200 mA 200 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃

工作结温 150℃ (Max) - 150℃ (Max)

耗散功率(Max) 250 mW 300 mW 250 mW

额定电流 - 200 mA -

电容 - 5.00 pF -

无卤素状态 - Halogen Free -

输出电流 - ≤200 mA -

负载电流 - 0.2 A -

极性 - Standard -

耗散功率 - 385 mW -

工作结温(Max) - 150 ℃ -

长度 - 3.04 mm 3 mm

宽度 - 1.3 mm 1.4 mm

高度 1 mm 0.94 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 - NLR -

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