KSP45TA和KSP45TA_NL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSP45TA KSP45TA_NL

描述 NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon TransistorNPN Epitaxial Silicon Transistor

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 -

封装 TO-226-3 TO-92

耗散功率 0.625 W -

击穿电压(集电极-发射极) 350 V 350 V

最小电流放大倍数(hFE) 50 @10mA, 10V -

额定功率(Max) 625 mW -

工作温度(Max) - -

工作温度(Min) - -

耗散功率(Max) - -

额定电压(DC) 350 V -

额定电流 300 mA -

极性 NPN NPN

集电极最大允许电流 0.3A 0.3A

封装 TO-226-3 TO-92

高度 5.33 mm -

材质 - -

工作温度 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Box -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

ECCN代码 EAR99 -

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