对比图
型号 PSMN038-100K PSMN038-100K,518 FDS3690
描述 N沟道的TrenchMOS SiliconMAX标准水平FET N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FETSO N-CH 100V 6.3A100V N沟道PowerTrench MOSFET的 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SO-8 SOIC-8 SO-8
引脚数 - 8 -
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 3.5 W 3.5 W 2.5 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 6.3A 6.3A 4.20 A
上升时间 13 ns 13 ns 6.5 ns
输入电容(Ciss) 1740pF @25V(Vds) 1740pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 3.5 W 3.5 W -
下降时间 25 ns 25 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) - 3.5W (Tc) -
漏源极电阻 - - 64.0 mΩ
漏源击穿电压 - - 100 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 5 mm - 4.9 mm
宽度 4 mm - 3.9 mm
高度 1.45 mm - 1.75 mm
封装 SO-8 SOIC-8 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -