FQI34P10和FQI34P10TU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQI34P10 FQI34P10TU

描述 100V P沟道MOSFET 100V P-Channel MOSFETTrans MOSFET P-CH 100V 33.5A 3Pin(3+Tab) I2PAK Rail

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

封装 I2PAK TO-262-3

通道数 - 1

漏源极电阻 - 49 mΩ

极性 P-CH N-Channel

耗散功率 - 3.75 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

漏源击穿电压 - 100 V

栅源击穿电压 - ±25.0 V

连续漏极电流(Ids) 33.5A 33.5A

上升时间 - 250 ns

输入电容(Ciss) - 2910pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 3.75 W

下降时间 - 210 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

耗散功率(Max) - 3.75W (Ta), 155W (Tc)

长度 - 10.29 mm

宽度 - 4.83 mm

高度 - 7.88 mm

封装 I2PAK TO-262-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99

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