BC856BW和BC856BW-7-F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC856BW BC856BW-7-F

描述 BC856BWTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW Automotive 3Pin SOT-323 T/R

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

封装 SOT-323 SOT-323-3

耗散功率 - 0.2 W

增益频宽积 - -

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 200 mW

频率 - 200 MHz

额定电压(DC) - -65.0 V

额定电流 - -100 mA

击穿电压(集电极-发射极) - 65 V

最小电流放大倍数(hFE) - 220 @2mA, 5V

额定功率(Max) - 200 mW

封装 SOT-323 SOT-323-3

材质 - -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

ECCN代码 - EAR99

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