对比图
型号 IXUC200N055 STP80NF10 SPP04N80C3
描述 ISOPLUS N-CH 55V 200AN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 ISOPLUS-220 TO-220-3 TO-220-3
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300W (Tc) 300 W 63 W
漏源极电压(Vds) 55 V 100 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 200 A 80.0 A 4.00 A
隔离电压 2.50 kV - -
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 63W (Tc)
额定电压(DC) - 100 V 800 V
额定电流 - 80.0 A 4.00 A
额定功率 - 300 W 63 W
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.012 Ω 1.1 Ω
阈值电压 - 3 V 3 V
输入电容 - 5500 pF -
漏源击穿电压 - 100 V 800 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
上升时间 - 80 ns 15 ns
输入电容(Ciss) - 5500pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)
额定功率(Max) - 300 W 63 W
下降时间 - 60 ns 12 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
封装 ISOPLUS-220 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.4 mm 10 mm
宽度 - 4.6 mm 4.4 mm
高度 - 9.15 mm 15.65 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -