对比图
型号 MJ11015 MJ11015G BDX66C
描述 MULTICOMP MJ11015 单晶体管 双极, PNP, 120 V, 4 MHz, 200 W, 30 A, 1000 hFEPNP 复合晶体管，On Semiconductor这些 ON Semiconductor 复合晶体管是包含两个双极性晶体管（集成或分离设备）的复合结构。 这些设备连接，因此第二个晶体管进一步放大由第一个晶体管放大的电流。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, PNP, -120V, 7MHz, 150W, -16A, 1000 hFE
数据手册 ---
制造商 Multicomp ON Semiconductor (安森美) Semelab
分类 双极性晶体管双极性晶体管晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 2 2 2
封装 TO-3 TO-204-2 TO-3
针脚数 2 2 -
极性 PNP, P-Channel PNP, P-Channel PNP
耗散功率 200 W 200 W 150 W
直流电流增益(hFE) 1000 1000 1000
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
额定电压(DC) - -120 V -
额定电流 - -30.0 A -
输出电压 - 120 V -
输出电流 - 30 A -
击穿电压(集电极-发射极) - 120 V -
集电极最大允许电流 - 30A -
最小电流放大倍数(hFE) - 1000 @20A, 5V -
额定功率(Max) - 200 W -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
增益带宽 - 4MHz (Min) -
耗散功率(Max) - 200000 mW -
输入电压 - 5 V -
封装 TO-3 TO-204-2 TO-3
长度 - 39.37 mm -
宽度 - 26.67 mm -
高度 - 8.51 mm -
包装方式 Tray Tray -
产品生命周期 - Active -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
含铅标准 - Lead Free -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 - -55℃ ~ 200℃ (TJ) -
ECCN代码 - EAR99 -