2SA733G-P-AE3-R和KSA1175GTA

对比图

型号 2SA733G-P-AE3-R KSA1175GTA KSA1175GBU

描述 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial TransistorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 3Pin TO-92S Bulk

数据手册 ---

制造商 UTC (友顺) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 SOT-23 TO-92-3 TO-226-3

极性 - PNP PNP

耗散功率 - 250 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 50 V 50 V

集电极最大允许电流 - 0.15A 0.15A

最小电流放大倍数(hFE) - 200 @1mA, 6V 200 @1mA, 6V

最大电流放大倍数(hFE) - 700 -

额定功率(Max) - 250 mW 250 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

长度 - 4 mm -

宽度 - 2.31 mm -

高度 - 3.7 mm -

封装 SOT-23 TO-92-3 TO-226-3

工作温度 - 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99 EAR99