对比图
型号 MTD6N20E1 MTD6P10E MTD5P06VT4G
描述 功率MOSFET 6安培， 200伏特N沟道DPAK Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts N−Channel DPAKDPAK P-CH 100V 6AON SEMICONDUCTOR MTD5P06VT4G 晶体管, MOSFET, P沟道, 5 A, -60 V, 0.34 ohm, 10 V, 2.8 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 - TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) - -100 V -60.0 V
额定电流 - -6.00 A -5.00 A
极性 - P-CH P-Channel
耗散功率 - 1.75W (Ta), 50W (Tc) 40 W
漏源极电压(Vds) - 100 V 60 V
连续漏极电流(Ids) - 6.00 A 5.00 A
上升时间 - 29 ns 26 ns
输入电容(Ciss) - 840pF @25V(Vds) 510pF @25V(Vds)
下降时间 - 9 ns 19 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 1.75W (Ta), 50W (Tc) 2.1W (Ta), 40W (Tc)
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.34 Ω
阈值电压 - - 2.8 V
输入电容 - - 510 pF
栅电荷 - - 20.0 nC
漏源击穿电压 - - 60.0 V
栅源击穿电压 - - ±15.0 V
额定功率(Max) - - 40 W
封装 - TO-252-3 TO-252-3
长度 - - 6.73 mm
宽度 - - 6.22 mm
高度 - - 2.38 mm
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 - Rail Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2018/01/15
ECCN代码 - - EAR99