对比图
描述 80V,3.6A,双N沟道HEXFET功率MOSFETSTMICROELECTRONICS STS4DNF60L 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4 A, 60 V, 0.045 ohm, 10 V, 1.7 V
数据手册 --
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
安装方式 - Surface Mount
漏源极电阻 61 mΩ 0.045 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 2 W 2.5 W
产品系列 IRF7380 -
阈值电压 4 V 1.7 V
漏源极电压(Vds) 80 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 3.60 A 4.00 A
输入电容(Ciss) 660pF @25V(Vds) 1030pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2 W 2 W
额定电压(DC) - 60.0 V
额定电流 - 4.00 A
通道数 - 2
针脚数 - 8
漏源击穿电压 - 60 V
栅源击穿电压 - ±15.0 V
上升时间 - 28 ns
下降时间 - 10 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 2000 mW
封装 SOIC-8 SOIC-8
长度 - 5 mm
宽度 - 4 mm
高度 - 1.25 mm
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99