对比图
型号 PD57030 PD57030S PD57030S-E
描述 RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILYRF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILYRF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 晶体管晶体管晶体管
封装 PowerSO-10 PowerSO-10 PowerSO-10RF
安装方式 - - Surface Mount
引脚数 - - 3
频率 945 MHz 945 MHz 945 MHz
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 52.8 W 52.8 W 52800 mW
漏源击穿电压 65.0 V 65.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 4.00 A 4.00 A 4.00 A
输出功率 30 W 30 W 30 W
增益 14 dB 14 dB 14 dB
测试电流 50 mA 50 mA 50 mA
工作温度(Max) 150 ℃ - 165 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃
额定电压 65 V 65 V 65 V
额定电压(DC) - - 65.0 V
额定电流 - - 4.00 A
漏源极电压(Vds) - - 65 V
输入电容(Ciss) - - 57pF @28V(Vds)
耗散功率(Max) - - 52800 mW
长度 7.5 mm - -
宽度 9.4 mm - -
高度 3.5 mm - -
封装 PowerSO-10 PowerSO-10 PowerSO-10RF
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 EAR99
工作温度 - - -65℃ ~ 165℃