APT150GN60LDQ4和APT150GN60LDQ4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT150GN60LDQ4 APT150GN60LDQ4G

描述 迅雷IGBT Thunderbolt IGBT迅雷IGBT Thunderbolt IGBT

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 3

封装 - TO-264-3

耗散功率 - 536 W

击穿电压(集电极-发射极) - 600 V

额定功率(Max) - 536 W

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 536000 mW

封装 - TO-264-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 - Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

ECCN代码 - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台