BC848ALT1G和BC848C

对比图

型号 BC848ALT1G BC848C BC848ALT1

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC848ALT1G  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 110 hFEBC848C NPN三极管 30V 100mA/0.1A 250MHz 420~800 200~600 mV SOT-23/SC-59 marking/标记 1L通用晶体管（ NPN硅） General Purpose Transistors(NPN Silicon)

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - -

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

长度 3.04 mm - 2.9 mm

宽度 2.64 mm - 1.3 mm

高度 1.11 mm - 0.94 mm

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

含铅标准 Lead Free - Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

极性 NPN - NPN

耗散功率 225 mW - 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 30 V - 30 V

集电极最大允许电流 0.1A - 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 110 @2mA, 5V - 110 @2mA, 5V

额定功率(Max) 300 mW - 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

频率 100 MHz - -

无卤素状态 Halogen Free - -

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 110 - -

耗散功率(Max) 300 mW - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

ECCN代码 EAR99 - -