对比图
型号 R5011FNX STP11N52K3 STP11NK50ZFP
描述 10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFETN 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STP11NK50ZFP 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 500 V, 520 mohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - 3 3
通道数 1 - 1
漏源极电阻 520 mΩ 0.41 Ω 0.52 Ω
极性 N N-Channel N-Channel
耗散功率 59 W 125 W 30 W
漏源极电压(Vds) 500 V 525 V 500 V
漏源击穿电压 500 V - 500 V
连续漏极电流(Ids) 11A - 10.0 A
输入电容(Ciss) 950pF @25V(Vds) 1400pF @50V(Vds) 1390pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 50 W 125 W 30 W
耗散功率(Max) 50W (Tc) 125W (Tc) 30000 mW
阈值电压 - 3.75 V 3.75 V
上升时间 - 18 ns 18 ns
下降时间 - 42 ns 15 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
针脚数 - - 3
输入电容 - - 1390 pF
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
高度 - 15.75 mm 9.3 mm
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Bulk Tube Tube
最小包装 1000 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99