IRFR3505PBF和STD60NF06T4

对比图

型号 IRFR3505PBF STD60NF06T4 STD70N6F3

描述 N沟道 55V 30AN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTD70N6F3 系列 60 V 10.5 mOhm N 沟道 STripFET™ III 功率 MOSFET - TO-252

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

耗散功率 140 W 110 W 110 W

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 60 V

输入电容(Ciss) 2030pF @25V(Vds) 1810pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 140 W 110 W 110 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 110W (Tc) 110W (Tc)

额定电压(DC) 55.0 V - -

额定电流 71.0 A - -

漏源极电阻 13 mΩ 0.014 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

产品系列 IRFR3505 - -

阈值电压 4 V 4 V -

漏源击穿电压 55.0 V 60.0 V -

连续漏极电流(Ids) 71.0 A 60.0 A -

上升时间 74.0 ns 108 ns -

针脚数 - 3 -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

下降时间 - 20 ns -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 6.2 mm -

高度 - 2.4 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -