对比图
型号 FQP13N10L STP14NF10 PSMN015-100P
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP13N10L 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.8 A, 100 V, 0.142 ohm, 10 V, 2 VN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 12.8 A 15.0 A 75.0 A
耗散功率 65 W 60 W 300 W
输入电容 - - 4.90 nF
栅电荷 - - 90.0 nC
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 12.8 A 15.0 A 75.0 A
上升时间 - 25 ns 65 ns
输入电容(Ciss) 520pF @25V(Vds) 460pF @25V(Vds) 4900pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 65 W 60 W 300 W
下降时间 - 8 ns 50 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 65W (Tc) 60W (Tc) 300000 mW
极性 N-Channel N-CH -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.142 Ω - -
阈值电压 2 V - -
漏源击穿电压 100 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.1 mm 10.4 mm -
宽度 4.7 mm 4.6 mm -
高度 9.4 mm 9.15 mm -
材质 - - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -