MMBZ15VAL-7-F和SZMMBZ15VALT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBZ15VAL-7-F SZMMBZ15VALT3G MMBZ15VALT1G

描述 MMBZ15VAL 系列 40 W 15 V 双 单向 表面贴装 TVS 二极管 -SOT-2440W 双齐纳瞬态电压抑制器,ON SemiconductorSOT-23 双共阳极齐纳,用于 ESD 防护。 旨在用于电压和 ESD 敏感设备,如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。### 瞬态电压抑制器,On SemiconductorON SEMICONDUCTOR  MMBZ15VALT1G  TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 12 V, 21 V, SOT-23, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 12.0 V - 15.0 V

工作电压 12 V 12 V 12 V

额定功率 40 W - 40.0 W

击穿电压 14.25 V 15 V 14.25 V

通道数 2 - -

耗散功率 40 W 300 mW 300 mW

钳位电压 21 V 21 V 21 V

测试电流 1 mA 1 mA 1 mA

脉冲峰值功率 40 W 40 W 40 W

最小反向击穿电压 14.25 V 14.25 V 14.25 V

击穿电压 14.25 V - 14.25 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

工作结温 -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

耗散功率(Max) 225 mW 300 mW 300 mW

最大反向击穿电压 - 15.75 V 15.75 V

额定电流 - - 1.00 A

电路数 - - 2

针脚数 - - 3

长度 1.3 mm 3.04 mm 3.04 mm

宽度 2.9 mm 1.40 mm 1.4 mm

高度 1 mm 1.01 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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