对比图
描述 PNP 复合晶体管，STMicroelectronics ### 双极晶体管，STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。PNP 复合晶体管，On Semiconductor这些 ON Semiconductor 复合晶体管是包含两个双极性晶体管（集成或分离设备）的复合结构。 这些设备连接，因此第二个晶体管进一步放大由第一个晶体管放大的电流。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管STMICROELECTRONICS BD435 单晶体管 双极, NPN, 32 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 140 hFE
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-126-3
额定电压(DC) -100 V -100 V -
额定电流 -5.00 A -5.00 A -
输出电压 - 100 V -
输出电流 - 5 A -
极性 PNP, P-Channel PNP, P-Channel NPN
耗散功率 65 W 65 W 36 W
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 32 V
热阻 - 62.5℃/W (RθJA) -
集电极最大允许电流 - 5A -
最小电流放大倍数(hFE) 1000 @3A, 3V 1000 @3A, 3V 40 @10mA, 5V
额定功率(Max) 2 W 2 W 36 W
直流电流增益(hFE) 1000 1000 140
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW 36000 mW
输入电压 - 2.5 V -
额定功率 2 W - -
针脚数 3 - 3
长度 10.4 mm 10.28 mm 7.8 mm
宽度 4.6 mm 4.82 mm 2.7 mm
高度 9.15 mm 9.28 mm 10.8 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-126-3
工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
ECCN代码 EAR99 EAR99 -