ADR434BR-REEL7和ADR434TRZ-EP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ADR434BR-REEL7 ADR434TRZ-EP ADR434TRZ-EP-R7

描述 超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source CapabilityANALOG DEVICES  ADR434TRZ-EP  电压基准, 超低噪, 系列 - 固定, ADR434-EP系列, 4.096V, NSOIC-8串联 10mA

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ADI (亚德诺)

分类 电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

容差 - ±0.04 % ±0.04 %

输出电压 - 4.096 V 4.096 V

输出电流 - 10 mA 10 mA

供电电流 - 800 µA 800 µA

通道数 - 1 -

针脚数 - 8 -

输入电压(Max) - 20 V 20 V

输出电压(Max) - 4.0975 V 4.096 V

输出电压(Min) - 4.096 V 4.096 V

输出电流(Max) - 10 mA 10 ma

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

输入电压 - 6.1V ~ 18V 6.1V ~ 18V

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 - -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ (TA)

温度系数 - ±1 ppm/℃ ±3 ppm/℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -

ECCN代码 - EAR99 -

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