FQI2N80TU和FQU2N80TU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQI2N80TU FQU2N80TU FQU2N80

描述 N沟道 800V 2.4AN沟道 800V 1.8A800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-251-3 IPAK

额定电压(DC) 800 V 800 V -

额定电流 2.40 A 1.80 A -

漏源极电阻 4.90 Ω 6.30 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 3.13W (Ta), 85W (Tc) 2.5 W -

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

漏源击穿电压 800 V 800 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 2.40 A 1.80 A 1.8A

上升时间 - 30 ns -

输入电容(Ciss) 550pF @25V(Vds) 550pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 3.13 W 2.5 W -

下降时间 - 28 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 3.13W (Ta), 85W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) -

长度 - 6.8 mm -

宽度 - 2.5 mm -

高度 - 6.3 mm -

封装 TO-262-3 TO-251-3 IPAK

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -

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