对比图
型号 NTMD6N02R2G PHN210T,118 NTMD6N02R2
描述 N 通道 MOSFET，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorNXP PHN210T,118 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.2 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 2 V功率MOSFET 6.0安培， 20伏 Power MOSFET 6.0 Amps, 20 Volts
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 20.0 V - 20.0 V
额定电流 6.00 A - 6.00 A
漏源极电阻 0.035 Ω 0.08 Ω 35.0 mΩ
极性 N-Channel Dual N-Channel N-Channel
耗散功率 2 W 2 W 1.22 W
漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 20 V
漏源击穿电压 20 V - 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V - ±12.0 V
连续漏极电流(Ids) 6.50 A 2.40 A 6.00 A
上升时间 50.0 ns 8 ns 50.0 ns
输入电容(Ciss) 1100pF @16V(Vds) 250pF @20V(Vds) 1100pF @16V(Vds)
额定功率(Max) 730 mW 2 W 730 mW
通道数 2 - -
阈值电压 900 mV 2 V -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 2 W 2 W -
针脚数 - 8 -
下降时间 - 15 ns -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 5 mm 5 mm -
宽度 4 mm 4 mm -
高度 1.5 mm 1.45 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 EAR99 - EAR99