BC848ALT1G和BC848CLT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC848ALT1G BC848CLT1G BC848ALT1

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC848ALT1G  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 110 hFENPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.通用晶体管( NPN硅) General Purpose Transistors(NPN Silicon)

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 100 MHz 100 MHz -

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

针脚数 3 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 225 mW 300 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 110 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V 110 @2mA, 5V

额定功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) 110 420 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW -

无卤素状态 Halogen Free - -

长度 3.04 mm 2.9 mm 2.9 mm

宽度 2.64 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 1.11 mm 0.94 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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