对比图
型号 FDS5670 FDS5672 IRF7855PBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS5670 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 60 V, 14 mohm, 10 V, 2.4 VON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS5672, 12 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 60.0 V - -
额定电流 10.0 A - -
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.014 Ω 0.0088 Ω 0.0094 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 97 mW
阈值电压 2.4 V 4 V 4.9 V
输入电容 2.90 nF - 1560pF @25V
栅电荷 49.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V - 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 10.0 A - 12.0 A
上升时间 10 ns 20 ns 13 ns
输入电容(Ciss) 2900pF @15V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 1560pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1 W 2.5 W -
下降时间 23 ns 14 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2500 mW 2500 mW
额定功率 - - 2.5 W
通道数 - - 1
产品系列 - - IRF7855
长度 5 mm 5 mm 5 mm
宽度 4 mm 4 mm 4 mm
高度 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -