对比图
型号 IRF3415 IRF3415SPBF IRF3415PBF
描述 TO-220AB N-CH 150V 43AINFINEON IRF3415SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 150 V, 42 mohm, 10 V, 4 VINFINEON IRF3415PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 150 V, 42 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
封装 TO-220 TO-263-3 TO-220-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 150 V - 150 V
额定电流 43.0 A - 43.0 A
漏源极电阻 42.0 mΩ 0.042 Ω 0.042 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 200 W 200 W 200 W
产品系列 IRF3415 - IRF3415
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V
漏源击穿电压 150V (min) 150 V 150 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 43.0 A 43A 43.0 A
上升时间 55 ns 55 ns 55 ns
下降时间 69 ns 69 ns 69 ns
额定功率 - 3.8 W 200 W
通道数 - - 1
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 4 V 4 V
输入电容 - 2400pF @25V 2400pF @25V
热阻 - 0.75℃/W (RθJC) 0.75℃/W (RθJC)
输入电容(Ciss) - 2400pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 200 W
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 3.8W (Ta), 200W (Tc) 200W (Tc)
封装 TO-220 TO-263-3 TO-220-3
长度 - 10.67 mm 10 mm
宽度 - 6.22 mm 4.4 mm
高度 - 4.83 mm 8.77 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17