对比图
型号 SPB80P06P SPB80P06PG SPB80P06P G
描述 SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor60V,-80A,P沟道功率MOSFETINFINEON SPB80P06P G 晶体管, MOSFET, P沟道, -80 A, -60 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3
额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V
额定电流 -80.0 A -80.0 A -80.0 A
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.021 Ω
极性 P-CH P-Channel P-Channel
耗散功率 340W (Tc) - 340 W
输入电容 5.03 nF 5.03 nF 5.03 nF
栅电荷 173 nC 173 nC 173 nC
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80.0 A 80.0 A
上升时间 - 18 ns 18 ns
输入电容(Ciss) 5033pF @25V(Vds) 5033pF @25V(Vds) 5033pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 340 W 340 W 340 W
下降时间 - 30 ns 30 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 340W (Tc) 340000 mW 340W (Tc)
通道数 1 - -
阈值电压 4 V - -
长度 - - 10.31 mm
宽度 9.25 mm - 9.45 mm
高度 - - 4.57 mm
封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99