SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor
表面贴装型 P 通道 80A（Tc） 340W（Tc） PG-TO263-3-2
得捷:
MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -80.0 A
通道数 1
极性 P-CH
耗散功率 340W Tc
阈值电压 4 V
输入电容 5.03 nF
栅电荷 173 nC
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
输入电容Ciss 5033pF @25VVds
额定功率Max 340 W
耗散功率Max 340W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
宽度 9.25 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPB80P06P Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPB80P06P G 英飞凌 | 类似代替 | SPB80P06P和SPB80P06P G的区别 |
SPB80P06PG 英飞凌 | 功能相似 | SPB80P06P和SPB80P06PG的区别 |
SUP65P06-20 Vishay Siliconix | 功能相似 | SPB80P06P和SUP65P06-20的区别 |